Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 42 A 75 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101 AUIRFR2407TRL
- RS-varenummer:
- 249-6874
- Producentens varenummer:
- AUIRFR2407TRL
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 21,26
(ekskl. moms)
Kr. 26,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 167 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 21,26 |
| 10 - 49 | Kr. 20,27 |
| 50 - 99 | Kr. 19,45 |
| 100 - 249 | Kr. 18,40 |
| 250 + | Kr. 17,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6874
- Producentens varenummer:
- AUIRFR2407TRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie AUIRFS | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-modstand pr. silikoneområde. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Avanceret planlæggerteknologi
LowOn - modstand
Dynamisk DV/DT-klassificering
175 C driftstemperatur
Hurtigt skift
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 42 A 75 V HEXFET AUIRFR2407TRL
- Infineon N-Kanal 42 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1310NSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 106 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF3808STRLPBF
- Infineon N-Kanal 100 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1407STRLPBF
- Infineon N-Kanal 89 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF2807ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 170 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFS3207ZTRRPBF
- Infineon N-Kanal 170 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF2907ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 260 A 75 V D2PAK (TO-263), HEXFET AUIRFS3107TRL
