Infineon N-Kanal, MOSFET, 42 A 75 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 249-6874
- Producentens varenummer:
- AUIRFR2407TRL
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 18,10
(ekskl. moms)
Kr. 22,62
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 161 enhed(er) afsendes fra 08. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 18,10 |
| 10 - 49 | Kr. 17,20 |
| 50 - 99 | Kr. 16,61 |
| 100 - 249 | Kr. 15,71 |
| 250 + | Kr. 14,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6874
- Producentens varenummer:
- AUIRFR2407TRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie AUIRFS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-modstand pr. silikoneområde. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Avanceret planlæggerteknologi
LowOn - modstand
Dynamisk DV/DT-klassificering
175 C driftstemperatur
Hurtigt skift