Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 230 A 75 V, 3 Ben, TO-220, AUIRFS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 249-6865
- Producentens varenummer:
- AUIRF1404Z
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 2.194,65
(ekskl. moms)
Kr. 2.743,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 900 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 43,893 | Kr. 2.194,65 |
| 100 - 200 | Kr. 41,70 | Kr. 2.085,00 |
| 250 + | Kr. 39,065 | Kr. 1.953,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6865
- Producentens varenummer:
- AUIRF1404Z
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 230A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 16.51mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 230A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie AUIRFS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 16.51mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav on-Resistance pr. silikoneområde. Yderligere funktioner i dette design er en driftstemperatur med 175 oC saltbro, hurtig skiftehastighed og forbedret periodisk lavineeffekt.
Avanceret procesteknologi
Ekstremt lav modstand ved tændt
175 °C driftstemperatur
Hurtigt skift
Repetitive Avalanche tilladt op til Tjmax
Blyfri, Overholder RoHS
Godkendt til brug i biler
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 230 A 75 V TO-220, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 230 A 75 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 195 A 40 V TO-220, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 42 A 75 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 260 A 75 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 230 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 545 A 40 V Forbedring DirectFET, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 43 A 60 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101