Infineon N-Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, AUIRF AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 229-1729
- Producentens varenummer:
- AUIRF3205ZSTRL
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 75,77
(ekskl. moms)
Kr. 94,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 15,154 | Kr. 75,77 |
| 25 - 45 | Kr. 13,478 | Kr. 67,39 |
| 50 - 120 | Kr. 12,746 | Kr. 63,73 |
| 125 - 245 | Kr. 11,834 | Kr. 59,17 |
| 250 + | Kr. 10,92 | Kr. 54,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1729
- Producentens varenummer:
- AUIRF3205ZSTRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | AUIRF | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie AUIRF | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 9.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon Power MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silikoneområde. Yderligere funktioner i dette design er en driftstemperatur med 175 oC saltbro, hurtig skiftehastighed og forbedret periodisk lavineeffekt. Disse funktioner kombineres for at gøre dette design til en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Den er RoHS-kompatibel og AEC Q101-kvalificeret
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 13 A 150 V Forbedring TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 160 A 60 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 127 A 100 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 260 A 75 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 17 A 20 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 42 A 75 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
