Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, AUIRF AEC-Q101 AUIRF3205ZSTRL
- RS-varenummer:
- 229-1729
- Producentens varenummer:
- AUIRF3205ZSTRL
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 82,28
(ekskl. moms)
Kr. 102,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 16,456 | Kr. 82,28 |
| 25 - 45 | Kr. 14,646 | Kr. 73,23 |
| 50 - 120 | Kr. 13,852 | Kr. 69,26 |
| 125 - 245 | Kr. 12,85 | Kr. 64,25 |
| 250 + | Kr. 11,864 | Kr. 59,32 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1729
- Producentens varenummer:
- AUIRF3205ZSTRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | AUIRF | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie AUIRF | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon Power MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silikoneområde. Yderligere funktioner i dette design er en driftstemperatur med 175 oC saltbro, hurtig skiftehastighed og forbedret periodisk lavineeffekt. Disse funktioner kombineres for at gøre dette design til en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Den er RoHS-kompatibel og AEC Q101-kvalificeret
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 110 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET AUIRF3205ZSTRL
- Infineon N-Kanal 110 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF3205ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 110 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF3205STRLPBF
- Infineon N-Kanal 110 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET AUIRF3205ZS
- Infineon N-Kanal 94 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1010ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 86 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRL3705ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 85 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1010NSTRLPBF
- Infineon P-Kanal 70 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF4905STRLPBF
