Infineon N-Kanal, MOSFET, 26 A 1200 V, 3 ben, TO-247 IMW120R090M1HXKSA1

Infineon IMW120R090M1HXKSA1 MOSFET i TO247-3 hus bygget på en topmoderne Trench Semiconductor-proces, der er optimeret til at kombinere ydeevne med pålidelighed. Sammenlignet med traditionelle silicium (Si)-baserede switche som IGBT'er og MOSFET'er tilbyder SiC MOSFET en række fordele. Disse omfatter de laveste niveauer for gate-opladning og enhedskapacitet set i 1200 V-kontakter, ingen tab ved omvendt genindvinding af den interne kommutationssikre husdiode, temperaturuafhængige lave koblingstab og tærskelfri ON-tilstand-karakteristik.

Meget lave koblingstab
Tærskelfri for tilstandskarakteristik
Bredt interval for gate-source spænding
Benchmark gate-tærskelspænding, VGS(th) = 4,5V
0V Sluk for gate-spænding for nem og enkel gate-drive
Fuldt kontrollerbar DV/dt
Robust husdiode til hård kommutering
Temperaturuafhængige slukningstab