DiodesZetex 2 Type P, Type N-Kanal, MOSFET, 4.6 A 20 V Forbedring, 6 Ben, UDFN-2020 Nej

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.190,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.730,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 16. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,73Kr. 2.190,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
246-6766
Producentens varenummer:
DMC2053UFDB-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.6A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

UDFN-2020

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.168Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.7nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.14W

Portkildespænding maks.

±12 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

DiodesZetex udgør en komplementær forstærkningstilstand for par MOSFET, der er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsopgaver. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i U-DFN2020-6-emballage og 0,6mm-profil gør den ideel til applikationer med lav profil. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse.

Maksimal afløbsspænding til kildespænding er 20 V maksimal gate-til-kilde spænding er ± 12 V den har PCB-sokkel på 4mm^2 den har lav gate-tærskelspænding og giver en ESD-beskyttet gate

Relaterede links