DiodesZetex Type N, Type P-Kanal, MOSFET 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 360,15

(ekskl. moms)

Kr. 450,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.320 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
50 - 90Kr. 7,203
100 - 240Kr. 5,722
250 - 990Kr. 5,588
1000 +Kr. 5,071

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
246-7504P
Producentens varenummer:
DMHC6070LSD-13
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Kanaltype

Type N, Type P

Produkttype

MOSFET

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.25Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.6W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11.5nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

DiodesZetex udgør en ny generation af supplerende MOSFET H-bro, der har lav modstand, der kan opnås med lavt gate-drev. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i SO-8-emballage. Det giver hurtig switching og lav indgangskapacitet. Den har et driftstemperaturområde på -55 til +150 oC

Den maksimale afløbsspænding til kildespænding er 60 V, og den maksimale gate-to-kildespænding er ± 20 V 2 N-kanal og 2 P-kanaler i et SOIC-hus giver lav modstand

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.