DiodesZetex 2 Type N-Kanal, MOSFET 100 V Forbedring, 6 Ben, UDFN-2020

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 48,925

(ekskl. moms)

Kr. 61,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.925 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 25Kr. 1,957Kr. 48,93
50 - 75Kr. 1,924Kr. 48,10
100 - 225Kr. 1,421Kr. 35,53
250 - 975Kr. 1,37Kr. 34,25
1000 +Kr. 1,344Kr. 33,60

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
246-7507
Producentens varenummer:
DMN10H6D2LFDB-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

UDFN-2020

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

10Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

0.7W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.2nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

DiodesZetex er en N-kanal forstærkende mode MOSFET, der er designet til at minimere den on-state modstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i U-DFN2020-6-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Den har en ESD-beskyttet låge (op til 1kV).

Maksimal afløbsspænding til kildespænding er 100 V maksimal gate-til-kilde spænding er ± 20 V den har en lav gate-tærskelspænding og giver en lav indgangskapacitet

Relaterede links