DiodesZetex 4 Type P, Type N-Kanal Quad, MOSFET 100 V Forbedring, 8 Ben, SOT-223 Nej ZXMHC10A07T8TA
- RS-varenummer:
- 246-7626
- Producentens varenummer:
- ZXMHC10A07T8TA
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 67,49
(ekskl. moms)
Kr. 84,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,498 | Kr. 67,49 |
| 50 - 95 | Kr. 11,43 | Kr. 57,15 |
| 100 - 245 | Kr. 9,784 | Kr. 48,92 |
| 250 - 495 | Kr. 9,62 | Kr. 48,10 |
| 500 + | Kr. 9,276 | Kr. 46,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 246-7626
- Producentens varenummer:
- ZXMHC10A07T8TA
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.45Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 10.4W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.95V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Quad | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 4 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.45Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 10.4W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.95V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Quad | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 4 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex udgør en ny generation af supplerende MOSFET H-bro, der har lav modstand, der kan opnås med lavt gate-drev. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i SM-8-emballage. Det giver hurtig switching og lav indgangskapacitet. Den har et driftstemperaturområde på -55 til +150 oC
Den maksimale afløbsspænding til kildespænding er 100 V, og den maksimale gate-to-kildespænding er ± 20 V 2 N-kanal og 2 P-kanaler i et SOIC-hus giver lav modstand
Relaterede links
- DiodesZetex 4 Type P MOSFET 100 V Forbedring SOT-223 Nej
- DiodesZetex Type P-Kanal 480 mA 240 V Forbedring SOT-223 Nej
- DiodesZetex Type P-Kanal 480 mA 240 V Forbedring SOT-223 Nej ZVP4424GTA
- DiodesZetex Type P-Kanal 3.7 A 70 V Forbedring SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 6.4 A 40 V Forbedring SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 310 mA 100 V Forbedring SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 260 mA 250 V Forbedring SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 0.6 A 450 V Forbedring SOT-223, DMP Nej
