STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 12 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 248-4901P
- Producentens varenummer:
- STL325N4LF8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 463,80
(ekskl. moms)
Kr. 579,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.810 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 98 | Kr. 23,19 |
| 100 - 198 | Kr. 22,665 |
| 200 + | Kr. 21,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 248-4901P
- Producentens varenummer:
- STL325N4LF8AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 188W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | UL | |
| Længde | 6mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 188W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser UL | ||
Længde 6mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics-produktet er en N-kanal Power MOSFET, der anvender STripFET F8-teknologi med forbedret renchegate-struktur. Den sikrer meget lav modstand i tilstanden, samtidig med at den reducerer den interne kapacitet og gate Charge for hurtigere og mere effektiv omskiftning.
Bruges til skift af applikationer
MSL1 kvalitet
AEC-Q101 kvalificeret
175 grader C driftstemperatur
100 procent lavine testet
Hus med indstillelig flanke