Infineon N-Kanal, MOSFET, 225 A 75 V N, 4 Ben, TO-247, IMZA
- RS-varenummer:
- 248-6676
- Producentens varenummer:
- IMZA120R014M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 202,41
(ekskl. moms)
Kr. 253,01
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 27 enhed(er) afsendes fra 08. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 202,41 |
| 2 - 4 | Kr. 192,24 |
| 5 - 9 | Kr. 184,16 |
| 10 - 24 | Kr. 176,08 |
| 25 + | Kr. 163,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 248-6676
- Producentens varenummer:
- IMZA120R014M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 225A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | IMZA | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 225A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie IMZA | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolSiC 1200 V, 14 mΩ SiC MOSFET i TO247-4-pakken bygger på en tilstand af ART Trench halvlederprocessen, der er optimeret til at kombinere ydeevne med pålidelighed. Disse omfatter det laveste niveau for gate-opladning og enhedskapacitet, som ses i 1200 V-switche. Ingen omvendte genvindingstab af den interne kommutationssikre husdiode, temperaturuafhængige lave koblingstab og tærskelfri ON-state-egenskab og CoolSiC MOSFET'er er ideelle til hårde og resonante skiftende topologier som effektfaktorkorrektions (PFC) kredsløb, tovejs topologier og DC-DC konvertere eller DC-AC invertere.
VDSS-1200 V VED T-25 C
IDCC-127 A VED T-25 C
RDS(on) - 14 mohm ved VGS - 18 V, T - 25 oC
Meget lave koblingstab
Kortslutning kan modstå tid på 3 mikrosekund
Benchmark gate-tærskelspænding, VGS(th) - 4,2 V.
Robust mod standby-tænd, 0 V sluk-gate-spænding kan anvendes
Robust husdiode til hård kommutering
XT-samkoblingsteknologi giver klassens bedste termiske ydeevne
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 225 A 75 V N TO-247, IMZA
- Infineon N-Kanal 75 A 200 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 52 A 75 V N TO-247, IMW
- Infineon N-Kanal 209 A 75 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon N-Kanal 52 A 75 V P TO-247, IMW
- Infineon N-Kanal TO-247
- Infineon N-Kanal 75 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 52 A 75 V TO-247, CoolSiC AEC-Q101