Infineon Type N-Kanal, MOSFET 1200 V N, TO-247 Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 1.976,58

(ekskl. moms)

Kr. 2.470,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 60 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 30Kr. 65,886Kr. 1.976,58
60 - 60Kr. 62,593Kr. 1.877,79
90 +Kr. 59,957Kr. 1.798,71

*Vejledende pris

RS-varenummer:
258-3763
Producentens varenummer:
IMZ120R060M1HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

9.8mΩ

Kanalform

N

Gennemgangsspænding Vf

5.2V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolSiC 1200 V, 60 mΩ SiC MOSFET i TO247-4 hus bygger på en state-of-the-art trinch-halvlederproces, der er optimeret til at kombinere ydeevne med pålidelighed. Sammenlignet med traditionelle siliciumbaserede switche som f.eks. IGBT'er og MOSFET'er giver SiC MOSFET en række fordele. Disse omfatter de laveste gate-ladnings- og enhedskapacitetsniveauer, der ses i 1200 V-kontakter, ingen omvendt genopretningstab for den interne kommutationssikre husdiode, temperaturuafhængige lave skiftetab og tærskelfri on-state-karakteristik. CoolSiC MOSFET'er er velegnede til hard- og resonant-switching-topologier som f.eks. effektfaktorkorrektionskredsløb, 2-vejs topologier og DC-DC-konvertere eller DC-AC-invertere.

Bredt område for gate-til-kilde-spænding

Robust og tabsfattig husdiode, der er normeret til hård omskiftning

Temperaturuafhængige skiftetab ved slukning

Højeste effektivitet

Reduceret køleindsats

Relaterede links