Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 75 V Forbedring, 7 Ben, TO-263-7, IMBG AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 248-9314
- Producentens varenummer:
- IMBG65R039M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 248-9314
- Producentens varenummer:
- IMBG65R039M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 64A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-263-7 | |
| Serie | IMBG | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-263-7 | ||
Serie IMBG | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SiC MOSFET er en 650 V CoolSiC-enhed, der er bygget over den solide siliciumcarbid-teknologi og udnytter de brede egenskaber for SiC-bandgap. 650 V CoolSiC MOSFET tilbyder en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed, der er velegnet til høje temperaturer og barske forhold. det muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af den højeste systemeffektivitet.
Optimeret skifteadfærd ved højere strømstyrker
Kommuteret robust hurtig husdiode med lav QF
Overlegen gate-oxid pålidelighed
TJ, maks.-175 oC og fremragende termisk adfærd
Lavere RDS (til) og impulsstrøm afhængig af temperatur
Øget lavine-kapacitet
Kompatibel med standarddrivere
Kelvin-kilde giver op til 4 gange lavere kontakttab
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 64 A 75 V Forbedring TO-263-7, IMBG AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 64 A 75 V N TO-263, IMBG
- Infineon N-Kanal 18 A 1200 V N TO-263, IMBG
- Infineon N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 269 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 100 A 75 V Forbedring TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 64 A 750 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 320 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101