Infineon N-Kanal, MOSFET, 6 A 650 V, 7 ben, TO-263-7 IMBG65R260M1HXTMA1

Infineon SiC MOSFET er en 650 V CoolSiC-enhed, der er bygget over den solide siliciumcarbid-teknologi og udnytter de brede egenskaber for SiC-bandgap. 650 V CoolSiC MOSFET tilbyder en unik kombination af ydeevne, pålidelighed og brugervenlighed, der er velegnet til høje temperaturer og barske forhold. det muliggør en forenklet og omkostningseffektiv implementering af den højeste systemeffektivitet.

Optimeret skifteadfærd ved højere strømstyrker
Kommuteret robust hurtig husdiode med lav QF
Overlegen gate-oxid pålidelighed
TJ, maks.-175 oC og fremragende termisk adfærd
Lavere RDS (til) og impulsstrøm afhængig af temperatur
Øget lavine-kapacitet
Kompatibel med standarddrivere
Kelvin-kilde giver op til 4 gange lavere kontakttab