ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 35 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, R6535KNX3
- RS-varenummer:
- 249-1129P
- Producentens varenummer:
- R6535KNX3C16
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 1.982,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.477,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 99 | Kr. 39,64 |
| 100 - 249 | Kr. 37,70 |
| 250 - 499 | Kr. 36,73 |
| 500 + | Kr. 32,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-1129P
- Producentens varenummer:
- R6535KNX3C16
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | R6535KNX3 | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 72nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie R6535KNX3 | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 72nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM højhastigheds switching N-kanal 650 V, 35 A drain-strøm MOSFET er højhastigheds switching-produkter, super-junction MOSFET'er, der lægger vægt på høj effektivitet. Denne serie produkter opnår højere effektivitet via højhastigheds switching, h
Lav modstand ved tændt
Ultrahurtig omskiftning
Parallel brug er let
Blyfri belægning
I overensstemmelse med RoHS