ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 10.7 A 30 V Forbedring, 7 Ben, HEML1616L7, RW4E065GN Nej RW4E065GNTCL1
- RS-varenummer:
- 249-1136
- Producentens varenummer:
- RW4E065GNTCL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 72,78
(ekskl. moms)
Kr. 90,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 7,278 | Kr. 72,78 |
| 50 - 90 | Kr. 7,099 | Kr. 70,99 |
| 100 - 240 | Kr. 5,685 | Kr. 56,85 |
| 250 - 990 | Kr. 5,55 | Kr. 55,50 |
| 1000 + | Kr. 5,019 | Kr. 50,19 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-1136
- Producentens varenummer:
- RW4E065GNTCL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | HEML1616L7 | |
| Serie | RW4E065GN | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.3nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype HEML1616L7 | ||
Serie RW4E065GN | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.3nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM N kanal Power MOSFET med lav modstand og hurtig omskiftning, velegnet til switching-anvendelser, har 30 V drain-source spænding og 6,5 A drænstrøm, konisk pakningstype.
Lav modstand ved tændt
Blyfri belægning
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 6 HEML16L7 RW4E065GNTCL1
- ROHM N-Kanal 6 8 ben RRS065 RSS065N06HZGTB
- ROHM N-Kanal 6 8 ben, SOP SH8KC6TB1
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 6 7 A 60 V SOP SH8MC5TB1
- ROHM N-Kanal 6 8 ben RQ1C065UN RQ1C065UNTR
- ROHM Dual N-Kanal 6 8 ben HT8KE5H HT8KE5HTB1
- Infineon N-Kanal 6 SO-8, HEXFET IRF7313TRPBF
- Infineon N/P-Kanal-Kanal 4 6 8 ben HEXFET IRF7319TRPBF
