Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 122 A 150 V Forbedring, 8 Ben, HSOF-8, IPT AEC-Q101 IPT063N15N5ATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 28,96

(ekskl. moms)

Kr. 36,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.810 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 28,96

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
249-3356
Producentens varenummer:
IPT063N15N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

122A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

HSOF-8

Serie

IPT

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon Optimos 5 effekt mosfet er N-kanal mosfet giver meget lav modstand og fremragende termisk modstand. Denne enhed er blyfri (Pb) og halogenfri. Den leveres i et PG-HSOF-8 hus til overflademontering.

VdS (dræn til kildespænding) er 150 V.

RDS (maks. til) er 6,3 milliohm, og ID er 122 A.

Qdss- og QG-værdier er henholdsvis 131 NC og 47 NC

Relaterede links