Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60T065S7XTMA1
- RS-varenummer:
- 349-262
- Producentens varenummer:
- IPT60T065S7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 84,29
(ekskl. moms)
Kr. 105,362
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 42,145 | Kr. 84,29 |
| 20 - 198 | Kr. 37,96 | Kr. 75,92 |
| 200 - 998 | Kr. 34,97 | Kr. 69,94 |
| 1000 - 1998 | Kr. 32,425 | Kr. 64,85 |
| 2000 + | Kr. 29,135 | Kr. 58,27 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-262
- Producentens varenummer:
- IPT60T065S7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | IPT | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC for Industrial Applications | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie IPT | ||
Emballagetype PG-HSOF-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC for Industrial Applications | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS S7 har de laveste Rdson-værdier for en HV SJ MOSFET med en markant forøgelse af energieffektiviteten. Den indbyggede temperatursensor øger nøjagtigheden og robustheden ved måling af forbindelsestemperaturen, samtidig med at implementeringen er nem og problemfri. CoolMOS S7 er optimeret til statisk skifte og anvendelser med høj strømstyrke. Den er ideel til solid-state relæer, afbryderdesigns og linjeudligning i SMPS- og invertertopologier. Den nye temperatursensor forbedrer S7-funktionerne og giver den bedst mulige udnyttelse af effekttransistoren.
CoolMOS S7-teknologi muliggør laveste RDS(on) i det mindste fodaftryk
Optimeret prisydelse i lavfrekvente switching-applikationer
Høj impulsstrømkapacitet
Problemfri diagnosticering på laveste systemniveau
Temperaturfølsom funktion til beskyttelse og optimeret udnyttelse af termisk enhed
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 13 A 600 V PG-HSOF-8, IPT IPT60T040S7XTMA1
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V PG-HSOF-8, IPT IPT60R180CM8XTMA1
- Infineon N-Kanal 142 A 600 V PG-HSOF-8, IPT IPT60R016CM8XTMA1
- Infineon N-Kanal 23 A 600 V PG-HSOF-8, IPT IPT60T022S7XTMA1
- Infineon N-Kanal 70 A 600 V PG-HSOF-8, IPT IPT60R037CM8XTMA1
- Infineon N-Kanal 331 A 120 V PG-HSOF-8, IPT IPTG017N12NM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 297 A 135 V PG-HSOF-8, IPT IPTG020N13NM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 297 A 135 V PG-HSOF-8, IPT IPT020N13NM6ATMA1