Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60R180CM8XTMA1
- RS-varenummer:
- 349-259
- Producentens varenummer:
- IPT60R180CM8XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 75,73
(ekskl. moms)
Kr. 94,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,146 | Kr. 75,73 |
| 50 - 95 | Kr. 14,392 | Kr. 71,96 |
| 100 - 495 | Kr. 13,33 | Kr. 66,65 |
| 500 - 995 | Kr. 12,268 | Kr. 61,34 |
| 1000 + | Kr. 11,818 | Kr. 59,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-259
- Producentens varenummer:
- IPT60R180CM8XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 119W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 119W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineons CoolMOS 8. generationsplatform er en revolutionerende teknologi til højspændings-MOSFET'er, designet efter super junction (SJ)-princippet og banebrydende for Infineon Technologies. 600V CoolMOS CM8-serien er efterfølgeren til CoolMOS 7. Den kombinerer fordelene ved en hurtigt skiftende SJ MOSFET med fremragende brugervenlighed, f.eks. lav tendens til ringning, implementeret hurtig kropsdiode til alle produkter med enestående robusthed over for hård kommutering og fremragende ESD-egenskaber. Desuden gør de ekstremt lave switching- og ledningstab i CM8 switching-applikationer endnu mere effektive.
Velegnet til hårde og bløde switching-topologier
Brugervenlighed og hurtigt design gennem lav tendens til ringning
Forenklet varmestyring takket være vores avancerede teknik til fastgørelse af matricer
Velegnet til en lang række anvendelser og effektområder
Løsninger med øget effekttæthed muliggøres ved at bruge produkter med mindre fodaftryk
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60T065S7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60T040S7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 23 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60T022S7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 70 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60R037CM8XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 142 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60R016CM8XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 313 A 60 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej
- Infineon Type N-Kanal 169 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej
- Infineon Type N-Kanal 313 A 60 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT012N06NATMA1