Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60T022S7XTMA1
- RS-varenummer:
- 349-260
- Producentens varenummer:
- IPT60T022S7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 97,54
(ekskl. moms)
Kr. 121,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 13. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 97,54 |
| 10 - 99 | Kr. 87,82 |
| 100 + | Kr. 81,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-260
- Producentens varenummer:
- IPT60T022S7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 23A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 390W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC, JS-001, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 23A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 390W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC, JS-001, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS S7 har de laveste Rdson-værdier for en HV SJ MOSFET med en markant forøgelse af energieffektiviteten. Den indbyggede temperatursensor øger nøjagtigheden og robustheden ved måling af forbindelsestemperaturen, samtidig med at implementeringen er nem og problemfri. CoolMOS S7 er optimeret til statisk skifte og anvendelser med høj strømstyrke. Den er ideel til solid-state relæer, afbryderdesigns og linjeudligning i SMPS- og invertertopologier. Den nye temperatursensor forbedrer S7-funktionerne og giver den bedst mulige udnyttelse af effekttransistoren.
CoolMOS S7-teknologi muliggør laveste RDS(on) i det mindste fodaftryk
Optimeret prisydelse i lavfrekvente switching-applikationer
Høj impulsstrømkapacitet
Problemfri diagnosticering på laveste systemniveau
Temperaturfølsom funktion til beskyttelse og optimeret udnyttelse af termisk enhed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 23 A 0.82 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej
- Infineon Type N-Kanal 23 A 0.82 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60R022S7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60T065S7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 313 A 60 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej
- Infineon Type N-Kanal 169 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej
- Infineon Type N-Kanal 313 A 60 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT012N06NATMA1
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60T040S7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 331 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT014N08NM5ATMA1