Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 169 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT Nej IPT029N08N5ATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 26.632,00

(ekskl. moms)

Kr. 33.290,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 13,316Kr. 26.632,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-2793
Producentens varenummer:
IPT029N08N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

169A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

IPT

Emballagetype

PG-HSOF-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

167W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET er en N-kanal 80 V MOSFET og er velegnet til højfrekvent omskiftning og synkroniseret ensretning. Den er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til målapplikationer. Denne MOSFET er fuldt kvalificeret iht. JEDEC til industrielle anvendelser og halogenfri iht. IEC61249 2 21.

I overensstemmelse med RoHS

Blyfri blybelægning

Fremragende gate opladning

Meget lav modstand ved tænding

100 procent lavintestet

Relaterede links