Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 169 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 62,46

(ekskl. moms)

Kr. 78,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 82 enhed(er) afsendes fra 14. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 48Kr. 31,23Kr. 62,46
50 - 98Kr. 28,425Kr. 56,85
100 - 248Kr. 25,995Kr. 51,99
250 - 998Kr. 24,05Kr. 48,10
1000 +Kr. 22,365Kr. 44,73

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-2794
Producentens varenummer:
IPT029N08N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

169A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

IPT

Emballagetype

PG-HSOF-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

167W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET er en N-kanal 80 V MOSFET og er velegnet til højfrekvent omskiftning og synkroniseret ensretning. Den er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til målapplikationer. Denne MOSFET er fuldt kvalificeret iht. JEDEC til industrielle anvendelser og halogenfri iht. IEC61249 2 21.

I overensstemmelse med RoHS

Blyfri blybelægning

Fremragende gate opladning

Meget lav modstand ved tænding

100 procent lavintestet

Relaterede links