Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 169 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- RS-varenummer:
- 273-2794
- Producentens varenummer:
- IPT029N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 71,81
(ekskl. moms)
Kr. 89,762
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 82 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 35,905 | Kr. 71,81 |
| 50 - 98 | Kr. 32,69 | Kr. 65,38 |
| 100 - 248 | Kr. 29,885 | Kr. 59,77 |
| 250 - 998 | Kr. 27,64 | Kr. 55,28 |
| 1000 + | Kr. 25,655 | Kr. 51,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2794
- Producentens varenummer:
- IPT029N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 169A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 169A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en N-kanal 80 V MOSFET og er velegnet til højfrekvent omskiftning og synkroniseret ensretning. Den er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til målapplikationer. Denne MOSFET er fuldt kvalificeret iht. JEDEC til industrielle anvendelser og halogenfri iht. IEC61249 2 21.
I overensstemmelse med RoHS
Blyfri blybelægning
Fremragende gate opladning
Meget lav modstand ved tænding
100 procent lavintestet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 169 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 313 A 60 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 331 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 87 A 200 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 23 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT