Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT
- RS-varenummer:
- 349-261
- Producentens varenummer:
- IPT60T040S7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 45,63
(ekskl. moms)
Kr. 57,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 45,63 |
| 10 - 99 | Kr. 40,99 |
| 100 - 499 | Kr. 37,85 |
| 500 - 999 | Kr. 35,16 |
| 1000 + | Kr. 31,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-261
- Producentens varenummer:
- IPT60T040S7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 245W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 83nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 245W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 83nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS S7 har de laveste Rdson-værdier for en HV SJ MOSFET med en markant forøgelse af energieffektiviteten. Den indbyggede temperatursensor øger nøjagtigheden og robustheden ved måling af forbindelsestemperaturen, samtidig med at implementeringen er nem og problemfri. CoolMOS S7 er optimeret til statisk skifte og anvendelser med høj strømstyrke. Den er ideel til solid-state relæer, afbryderdesigns og linjeudligning i SMPS- og invertertopologier. Den nye temperatursensor forbedrer S7-funktionerne og giver den bedst mulige udnyttelse af effekttransistoren.
CoolMOS S7-teknologi muliggør laveste RDS(on) i det mindste fodaftryk
Optimeret prisydelse i lavfrekvente switching-applikationer
Høj impulsstrømkapacitet
Problemfri diagnosticering på laveste systemniveau
Temperaturfølsom funktion til beskyttelse og optimeret udnyttelse af termisk enhed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 313 A 60 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 169 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 331 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 87 A 200 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 23 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 23 A 0.82 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT