Microchip N-Kanal, MOSFET, 41 A 3300 V., TO-247 MSC080SMA330B4

Microship's MOSFET-produktlinje (siliciumcarbid) øger ydeevnen i forhold til silicium MOSFET- og silicium IGBT-løsninger, samtidig med at de samlede ejeromkostninger for højspændingsanvendelser reduceres. Enheden er en 3300 V, 80 mΩ SiC MOSFET i ET TO-247 4-leder hus med kilderefans. Den har lav kapacitet og lav gate-opladning med hurtig skiftehastighed på grund af lav intern gate-modstand (ESR). Den muliggør stabil drift ved høj samledstemperatur, TJ (maks.) på 150 grader C. Den er hurtig og pålidelig husdiode med overlegen lavine-robusthed.

Høj effektivitet, der muliggør et lettere og mere kompakt system
Enkel at køre og nem at parallel
Forbedrede termiske egenskaber og lavere skiftetab