STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 80 A 35 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 249-6745P
- Producentens varenummer:
- STD80N240K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 21%
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 267,80
(ekskl. moms)
Kr. 334,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 399 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 26,78 | - |
| 100 - 499 | Kr. 21,02 | 21% |
| 500 - 2499 | Kr. 20,72 | 22% |
| 2500 + | Kr. 20,57 | 23% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6745P
- Producentens varenummer:
- STD80N240K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 35V | |
| Serie | STD | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.01mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 70W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.4mm | |
| Længde | 10.1mm | |
| Standarder/godkendelser | UL | |
| Bredde | 6.6mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 35V | ||
Serie STD | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.01mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 70W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.4mm | ||
Længde 10.1mm | ||
Standarder/godkendelser UL | ||
Bredde 6.6mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics er en N-kanal Power MOSFET med meget høj spænding, der er designet med den ultimative mesh K6-teknologi baseret på superjunction-teknologi. Resultatet er klassens bedste On-Resistance pr. område og gate Charge til anvendelser, der kræver overlegen effekttæthed og høj effektivitet.
Verdens bedste RDS(on)x-område
Verdens bedste FOM (figur af fortjeneste)
Meget lav gate-opladning
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet