Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 230 A 75 V, 3 Ben, TO-220, AUIRFS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 249-6868P
- Producentens varenummer:
- AUIRF3205
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 243,10
(ekskl. moms)
Kr. 303,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 948 enhed(er) afsendes fra 10. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 24 | Kr. 24,31 |
| 25 - 49 | Kr. 23,79 |
| 50 - 99 | Kr. 22,14 |
| 100 + | Kr. 20,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6868P
- Producentens varenummer:
- AUIRF3205
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 230A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 230A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie AUIRFS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-modstand pr. silikoneområde. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Avanceret planlæggerteknologi
LowOn - modstand
Dynamisk DV/DT-klassificering
175 C driftstemperatur
Hurtigt skift