Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 249-6895
- Producentens varenummer:
- IAUC80N04S6L032ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 9.190,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.490,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 1,838 | Kr. 9.190,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6895
- Producentens varenummer:
- IAUC80N04S6L032ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | IAUC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie IAUC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS er power MOSFET til brug i biler. Driftskanalen er N. Det er AEC Q101-kvalificeret. MSL1 op til 260 oC Peak reflow. Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS), og det er 100 % Avalanche-testet.
175 °C driftstemperatur
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 80 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101 IAUC80N04S6L032ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 80 A 20 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 20 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101 IAUC80N04S6N036ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101 IAUC120N04S6L005ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101 IAUC100N04S6L014ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101 IAUC120N04S6N006ATMA1