Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 249-8629
- Producentens varenummer:
- IAUC41N06S5N102ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 50,71
(ekskl. moms)
Kr. 63,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 31. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,142 | Kr. 50,71 |
| 50 - 120 | Kr. 8,946 | Kr. 44,73 |
| 125 - 245 | Kr. 8,288 | Kr. 41,44 |
| 250 - 495 | Kr. 7,734 | Kr. 38,67 |
| 500 + | Kr. 7,21 | Kr. 36,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-8629
- Producentens varenummer:
- IAUC41N06S5N102ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | IAUC | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie IAUC | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon 60V, N-kanal, 10,2 mohm, Automotive MOSFET med OptiMOS 5 teknologi til 60V MOSFET'er i industristandard S3O8 5 mm x 6 mm kompakt flademål med førende ydelse, der giver lav RDSon, QG og gatekapacitet og minimerer ledning- og skiftetab.
OptiMOS effekt MOSFET til brug i biler
N-kanal, forbedringstilstand, normalt niveau
Udvidet kvalifikation ud over AEC-Q101
Forbedret elektrisk test
Robust konstruktion
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS)
100 procent Avalanche testet