Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 0.28 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 250-0554P
- Producentens varenummer:
- BSS209PWH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 80,00
(ekskl. moms)
Kr. 100,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 10.930 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 490 | Kr. 0,80 |
| 500 - 990 | Kr. 0,501 |
| 1000 - 2490 | Kr. 0,456 |
| 2500 + | Kr. 0,389 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0554P
- Producentens varenummer:
- BSS209PWH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.28A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOT-323 | |
| Serie | BSS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.28A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOT-323 | ||
Serie BSS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon gør P-kanal med optimeret mode-transistor udbredt i anvendelser med højt switching. Den er lavine-klassificeret og halogenfri. Denne enhed er OptiMOS-P småsignal-transistor med superlogikniveau på 2,5 V (nominel). Driftstemperaturen er 150 grader C. Det er lavine- og dv/dt-klassificeret. Den er blyfri med blybelægning, halogenfri.
VDS er -20 V, RDS(on), maks. 550 mΩ og ID er -0,63 A.
Maks. effekttab er 500mW