onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTB AEC-Q101 NTBG025N065SC1

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 66,47

(ekskl. moms)

Kr. 83,09

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 797 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 66,47

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
254-7663
Producentens varenummer:
NTBG025N065SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

58A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

NTB

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

22 V

Gennemgangsspænding Vf

4.5V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

164nC

Effektafsættelse maks. Pd

117W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK−7L


ON Semiconductor NTB serien af en siliciumkarbid mosfet bruger en helt ny teknologi, der giver fremragende skifteydelse og højere pålidelighed sammenlignet med silicium. Desuden med lav modstand ved tænding og kompakt chipstørrelse. Det sikrer en lav kapacitet og gate-opladning. Derfor omfatter systemfordelene højeste effektivitet, hurtigere driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.

Anvendes i telekommunikation med ultralav gate-opladning, høj hastighedskontakt og lav kapacitet

Relaterede links