Vishay Type P-Kanal, Effekt MOSFET, -5.3 A -50 V, 3 Ben, TO-252, IRFR9010

RS-varenummer:: 256-7310
Producentens varenummer:: IRFR9010TRPBF
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, Effekt MOSFET, -5.3 A -50 V, 3 Ben, TO-252, IRFR9010

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 256-7310
Producentens varenummer:: IRFR9010TRPBF
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	-5.3A
	Drain source spænding maks. Vds	-50V
	Serie	IRFR9010
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	0.5Ω
	Portkildespænding maks.	20V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	9.1nC
	Gennemgangsspænding Vf	-5.5V
	Effektafsættelse maks. Pd	25W
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Højde	2.39mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -5.3A
	Drain source spænding maks. Vds -50V
	Serie IRFR9010
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 0.5Ω
	Portkildespænding maks. 20V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.1nC
	Gennemgangsspænding Vf -5.5V
	Effektafsættelse maks. Pd 25W
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Højde 2.39mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Vishay IRFR9010 seriens Power MOSFET, 50 V maksimal drain source-spænding, 5,3 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFR9010TRPBF

Denne effekt-MOSFET er en P-kanals halvlederenhed, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt termisk område og er velegnet til kredsløb, der kræver kontrolleret kobling med høj strøm og moderat spændingshåndtering i kompakt TO-252-hus.

Egenskaber og fordele:

• 50 V mærkeværdi fra drain til kilde muliggør omskiftning ved moderat spænding
• 0.5 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i belastningsbaner
• 5.3 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende strømforsyning
• 9.1 nC typisk gate-opladning giver mulighed for hurtigere gate-drive-respons
• 25 W maks. effekttab muliggør højere termisk belastning
• -55 °C til +150 °C driftsområde understøtter barske miljøer

Anvendelser

• Velegnet til high-side-switching i strømskinner
• Ideel til batteristyring og belastningsfrakobling
• Anvendes sammen med kompakte konvertere, der kræver overflademontering
• Kan bruges til kredsløb til beskyttelse mod omvendt polaritet
• Velegnet til termisk stresstest i elektronikvalidering

Hvilken hustype bruger den, og hvordan påvirker det monteringen?

Den leveres i et TO-252-hus, der er designet til overflademontering, hvilket giver en lavprofil, der er kompatibel med reflow-processer og muliggør termisk kobling til printkobber til varmeafledning.

Hvilke begrænsninger for gate-driver skal der tages hensyn til under designet?

Enheden tåler op til 20 V mellem gate og kilde, så gate-drivere skal forblive inden for dette område for at undgå at beskadige gate-oxid.

Hvordan skal termisk styring tilgås på et printkort?

I betragtning af en maksimal dissipation på 25 W bør designere allokere et tilstrækkeligt kobberareal eller termiske gennemføringer under pakken for at sprede varmen og opretholde forbindelsestemperaturen inden for sikre grænser.

Er der særlige hensyn til switching-ydeevnen?

Den typiske gate-ladning på 9,1 nC indebærer moderat gate-drive-energi

valg af driver skal balancere skiftehastigheden mod EMI og drevstrøm.