Vishay Type P-Kanal, Effekt MOSFET, -5.1 A -60 V, 3 Ben, TO-252, IRFR9014

Denne effekt-MOSFET er en P-kanalenhed, der er designet til koblings- og forstærkningsopgaver i industrielle elektroniske systemer. Den fungerer ved negative drain-kilde-spændinger op til -60 V og understøtter moderate kontinuerlige strømme, hvilket gør den velegnet til kontrolleret strømoverførsel i overflademonterede enheder. Komponenten leveres i en TO-252-pakke og er beregnet til anvendelser, hvor der kræves kompakte, kortmonterede effekttransistorer.

• Lav Rds(on) 0,5 Ω, der giver reducerede ledningstab
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm -5,1 A, der muliggør vedvarende belastningshåndtering
• Nominel Vgs op til 20 V, der giver robuste gate-drive-margener
• Typisk gate-ladning 12 nC, der letter hurtigere skiftedynamik
• Maks. effekttab 25 W understøtter termisk hovedrum
• Driftsområde -55 °C til +150 °C, der tåler barske temperaturer

• Velegnet til high-side-switching i styremoduler
• Ideel til strømstyring i automatiseringsudstyr
• Anvendes med motordrivere, der kræver P-kanalswitch
• Kan bruges til belastningsbeskyttelse i elektriske enheder
• Velegnet til kompakte strømkort til overflademontering

Enheden leveres i en TO-252-pakke til overflademontering med tre ben til direkte printmontering.

En 12 nC gate-ladning bestemmer den påkrævede drevenergi og påvirker koblingstab og drivervalg for effektiv timing.

Komponenten accepterer op til 25 W tab og en maksimal samletemperatur på +150 °C, så varmeafledere og printkobber skal dimensioneres i overensstemmelse hermed.

Design beskyttelsesforanstaltninger for en maksimal drain-kilde-spænding på -60 V og kontinuerlig drain-strøm på -5,1 A for at forhindre overbelastning.

Overhold den maksimale gate-source-mærkespænding på 20 V for at undgå skader på gate-oxid og sikre ESD-forholdsregler under montering.