Vishay Type P-Kanal, MOSFET, -2.4 A -60 V, 8 Ben, SOIC, Si4948BEY

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 608,90

(ekskl. moms)

Kr. 761,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.090 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
50 - 95Kr. 12,178
100 - 245Kr. 10,308
250 - 995Kr. 10,112
1000 +Kr. 7,376

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
256-7363P
Producentens varenummer:
SI4948BEY-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-2.4A

Drain source spænding maks. Vds

-60V

Emballagetype

SOIC

Serie

Si4948BEY

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.15Ω

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

1.4W

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

1.75mm

Standarder/godkendelser

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Si4948BEY seriens MOSFET, -60 V drain source spænding, -2,4 A kontinuerlig drain strøm - SI4948BEY-T1-E3


Denne MOSFET er en P-kanal overflademonteret transistor, der er designet til koblings- og strømstyringsopgaver i elektroniske systemer. Den fungerer inden for et bredt temperaturområde og er beregnet til brug på kompakte kort, hvor en SOIC-pakke og moderat strømhåndtering er påkrævet. Enheden er velegnet til teknikere, der har brug for en P-kanaloption med specifik gate-ladning og termiske grænser til design på kredsløbsniveau.

Egenskaber og fordele:


• P-kanalenhed, der understøtter negativ drain-source-spænding til switching på høj side • Nominel drain-source-spænding på -60 V, der muliggør anvendelser med forhøjet spænding • Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm -2,4 A, der giver mulighed for moderat belastningshåndtering • Lav modstand ved tænding 0,15 Ω reducerer ledningstab • Typisk gate-ladning 14,5 nC, der letter forudsigelig skifteadfærd • Effekttab på 1,4 W til styring af termisk budget i trange layouts

Anvendelser


• Velegnet til high-side-kontakter i motorstyringsmoduler • Ideel til belastningsfrakoblinger i strømstyringskredsløb • Anvendes til beskyttelse mod omvendt polaritet i forsyningsskinner • Kan bruges til batteristyring og opladningsstyring • Velegnet til SMD-enheder, der kræver kompakte P-kanal-transistorer

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes under designet?


Gate-source-spændingen må ikke overstige ±20 V for at forhindre gate-oxidbelastning og sikre pålidelig drift.

Hvordan opfører enheden sig ved høje temperaturer?


Den er specificeret til drift op til maks. 175 °C, så designere bør tage hensyn til nedjustering af strøm og effekt med temperaturstigning.

Hvilken pakke og hvilket antal ben er tilgængelige til PCB-layout?


Komponenten leveres i en SOIC‐8-pakke med otte ben, velegnet til standard SMD-footprint-design.

Hvilke standarder vedrører materialers og procesers acceptabilitet?


Komponenten er i overensstemmelse med RoHS 2002/95/EC og følger IEC 61249‐2‐21 materialespecifikationer.

Hvilken fremadgående spænding eller diodekarakteristik angives?


A-fremadgående spænding på -1,2 V er specificeret for diodens iboende ledningsføringsadfærd.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.