Vishay Type P, Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 20 V, 8 Ben, ChipFET Nej SI5513CDC-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 256-7373
- Producentens varenummer:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 104,725
(ekskl. moms)
Kr. 130,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.675 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 4,189 | Kr. 104,73 |
| 50 - 75 | Kr. 4,108 | Kr. 102,70 |
| 100 - 225 | Kr. 3,13 | Kr. 78,25 |
| 250 - 975 | Kr. 3,067 | Kr. 76,68 |
| 1000 + | Kr. 1,903 | Kr. 47,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7373
- Producentens varenummer:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | ChipFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype ChipFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Semiconductor mosfet array N- og P-kanal 20 V 4 A, 3,7 A 3,1 W overflademonteret 1206-8 chipFET halogenfri i overensstemmelse med IEC 61249-2-21 definition.
TrenchFET Power Mosfets
100 % Rg testet
I overensstemmelse med RoHS-direktiv 2002/95/EF
Relaterede links
- Vishay Type P MOSFET 8 Ben, ChipFET Nej
- Vishay Type N MOSFET 1206-8 ChipFET Nej SI5504BDC-T1-GE3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 6 A 20 V, PowerPAK ChipFET SI5517DU-T1-GE3
- Vishay Type N MOSFET 1206-8 ChipFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 6 A 30 V ChipFET Nej SI5468DC-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 6 A 30 V PowerPAK ChipFET Nej SI5936DU-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 25 A 40 V PowerPAK ChipFET Nej SI5448DU-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 25 A 20 V PowerPAK ChipFET Nej SI5442DU-T1-GE3
