Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5936DU
- RS-varenummer:
- 256-7377P
- Producentens varenummer:
- SI5936DU-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 406,90
(ekskl. moms)
Kr. 508,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.040 enhed(er) afsendes fra 10. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 8,138 |
| 100 - 245 | Kr. 6,358 |
| 250 - 995 | Kr. 6,194 |
| 1000 + | Kr. 4,128 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7377P
- Producentens varenummer:
- SI5936DU-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK ChipFET | |
| Serie | SI5936DU | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.04Ω | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 10.4W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.85mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK ChipFET | ||
Serie SI5936DU | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.04Ω | ||
Effektafsættelse maks. Pd 10.4W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.5nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.85mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SI5936DU seriens MOSFET, 30 V maksimal drain-kildespænding, 6 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SI5936DU-T1-GE3
Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i elektroniske systemer. Den fungerer som en kontakt med lav modstand, der er velegnet til kompakte kortsamlinger, og giver en balance mellem strømhåndtering og mærkespænding til en række industrielle styrings- og strømkonverteringsopgaver.
Egenskaber og fordele:
• 30 V mærkeværdi muliggør omskiftning med mellemspænding til styringskredsløb • 6 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme • 0,04 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift • 3,5 nC typisk gate-opladning for hurtig, energibesparende omskiftning • 10,4 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning • Maksimal driftstemperatur på +150 °C tåler miljøer med høje temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til gate-trins omskiftning af motordrev i automatiseringssystemer • Ideel til DC-DC-konvertere i industrielle strømforsyninger • Anvendes til belastningsswitching i integrerede styringsmoduler • Kan bruges til strømstyring i test- og måleudstyr
Hvilket monteringsformat kræver det på et printkort?
Den bruger en overflademonteret pakke med et 8-benet fodaftryk, der er velegnet til automatiseret samling og kompakte layouts.
Hvordan påvirker gate-ladningsværdien drevkravene?
En typisk 3,5 nC gate-ladning betyder lavere gate-drive-energi og hurtigere overgange sammenlignet med enheder med højere Qg, hvilket reducerer gate-driverens størrelse og koblingstab.
Hvilket omgivelsestemperaturområde kan den modstå?
Den er klassificeret til drift fra -55 °C op til +150 °C, hvilket giver mulighed for brug på tværs af brede termiske forhold uden nedjustering inden for dette område.
Hvilken maksimal gate-til-kilde-spænding kan jeg anvende?
Enheden accepterer op til 20 V mellem gate og kilde, hvilket definerer den tilladte drevamplitude for sikker drift.
Hvilken mekanisk pakketype leveres til varmeafledning?
Den leveres i en PowerPAK ChipFET-pakke, der hjælper med varmeoverførsel for højere dissipationsniveauer.