Vishay N-Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK ChipFET, SI5936DU
- RS-varenummer:
- 256-7377P
- Producentens varenummer:
- SI5936DU-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 406,90
(ekskl. moms)
Kr. 508,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.040 enhed(er) afsendes fra 19. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 8,138 |
| 100 - 245 | Kr. 6,358 |
| 250 - 995 | Kr. 6,194 |
| 1000 + | Kr. 4,128 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7377P
- Producentens varenummer:
- SI5936DU-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | SI5936DU | |
| Emballagetype | PowerPAK ChipFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.04Ω | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 10.4W | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 850μm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie SI5936DU | ||
Emballagetype PowerPAK ChipFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.04Ω | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.5nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 10.4W | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 850μm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SI5936DU seriens MOSFET, 30 V maksimal drain-kildespænding, 6 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SI5936DU-T1-GE3
Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanals koblingstransistor, der er designet til strømstyringsopgaver i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer i et bredt omgivelsesområde og er beregnet til anvendelser, der kræver effektiv lavspændingsomskiftning og varmehåndtering i snævre fodaftryk.
Egenskaber og fordele:
• 30 V mærkeværdi muliggør robust lavspændingskoblingsevne
• 6 A kontinuerlig strøm understøtter moderat strømforsyning
• 0.04 Ω Rds(on) minimerer ledningstab
• 3.5 nC typisk portladning muliggør hurtige portovergange
• 10,4 W maks. tab håndterer betydelig termisk belastning
• 20 V gate-tolerance giver mulighed for fleksible valg af drevspænding
• 6 A kontinuerlig strøm understøtter moderat strømforsyning
• 0.04 Ω Rds(on) minimerer ledningstab
• 3.5 nC typisk portladning muliggør hurtige portovergange
• 10,4 W maks. tab håndterer betydelig termisk belastning
• 20 V gate-tolerance giver mulighed for fleksible valg af drevspænding
Anvendelser
• Velegnet til brug på DC-DC-konverterens udgangstrin
• Ideel til batteristyring og styring af strømvejen
• Anvendes sammen med motordriverstrin til lavspændingsmotorer
• Kan bruges til belastningsswitching i telekommunikationsudstyr
• Velegnet til kompakte strømmoduler med højdebegrænsninger
• Ideel til batteristyring og styring af strømvejen
• Anvendes sammen med motordriverstrin til lavspændingsmotorer
• Kan bruges til belastningsswitching i telekommunikationsudstyr
• Velegnet til kompakte strømmoduler med højdebegrænsninger
Hvilket husformat skal jeg planlægge i printkortlayout?
Enheden leveres i en PowerPAK ChipFET-overflademonteret stil, så pude-layout'er skal matche et lavprofils SMT-footprint og tillader termiske vias eller kobberhældninger til varmespredning.
Hvordan påvirker temperaturen grænserne for kontinuerlig drift?
Komponenten er specificeret til at fungere fra -55 °C til +150 °C, men termisk styring er nødvendig for at opretholde effekttab inden for nominelle værdier ved høje hustemperaturer.
Hvilke hensyn til gate-driver er der for switching-ydeevne?
Forvent moderat gate-ladningskrav
driverkapacitet skal forsyne den typiske 3,5 nC opladning hurtigt for at reducere koblingstab, mens du styrer dv/dt.
Er dette velegnet til biler?
Den er ikke udpeget til bilstandarder, så den bør ikke bruges, hvor bilkvalifikation er obligatorisk.