Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 79 A 60 V, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9268
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-513
- Producentens varenummer:
- IRF1018ESTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 46,68
(ekskl. moms)
Kr. 58,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.520 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 9,336 | Kr. 46,68 |
| 50 - 120 | Kr. 8,318 | Kr. 41,59 |
| 125 - 245 | Kr. 7,84 | Kr. 39,20 |
| 250 - 495 | Kr. 7,286 | Kr. 36,43 |
| 500 + | Kr. 6,718 | Kr. 33,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9268
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-513
- Producentens varenummer:
- IRF1018ESTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 79A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.4mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 79A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.4mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er 60 V enkelt n-kanals HEXFET-effektmosfet i et D2 Pak-hus.
Forbedret gate, lavine og dynamisk dv/dt robusthed
Fuldt karakteriseret kapacitet og lavine SOA
Forbedret husdiode dV/dt og dI/dt kapacitet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 79 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 79 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 79 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 60 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 173 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 95 A 60 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 210 A 60 V TO-220, HEXFET IRFB3206GPBF