Infineon N-Kanal, MOSFET, 79 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 688-6800
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-43-449
- Producentens varenummer:
- IRF1018EPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 36,43
(ekskl. moms)
Kr. 45,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 7,286 | Kr. 36,43 |
| 50 - 120 | Kr. 6,718 | Kr. 33,59 |
| 125 - 245 | Kr. 6,268 | Kr. 31,34 |
| 250 - 495 | Kr. 5,834 | Kr. 29,17 |
| 500 + | Kr. 5,386 | Kr. 26,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-6800
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-43-449
- Producentens varenummer:
- IRF1018EPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 79A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 79A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Motorstyring og AC-DC synkron ensretter MOSFET, Infineon
Motorstyring MOSFET
Infineon tilbyder et omfattende udvalg af robuste N-kanal og P-kanal MOSFET enheder til motorstyring.
Synkron ensretter MOSFET
Et udvalg af synkron ensretter MOSFET-enheder til AC-DC strømforsyninger understøtter kundens behov for højere effekttæthed, mindre størrelse, større bærbarhed og mere fleksible systemer.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 79 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 79 A 60 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 79 A 60 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 84 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 43 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 210 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 60 A 250 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET