Infineon N-Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Forbedring, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5514
- Producentens varenummer:
- IRFB4127PBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 100 enheder)*
Kr. 2.354,10
(ekskl. moms)
Kr. 2.942,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 100 + | Kr. 23,541 | Kr. 2.354,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5514
- Producentens varenummer:
- IRFB4127PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 76A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 76A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET seriens MOSFET, 200 V maksimal drain-source spænding, 375 W maksimal effekttab - IRFB4127PBF
Denne MOSFET er en N-kanal-transistor med høj spænding og forstærkning, der er designet til printmontering i en TO-220-pakke. Den er beregnet til effektkoblings- og styringsopgaver, hvor der kræves betydelig strømstyrke og termisk kapacitet, og den fungerer over et udvidet industrielt temperaturområde, samtidig med at den overholder RoHS-begrænsninger.
Egenskaber og fordele:
• 20 mΩ Rds(on), der giver reducerede ledningstab
• 76 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter omskiftning med høj belastning
• 200 V mærkeværdi for drain-source, der muliggør højspændingsanvendelser
• 375 W effekttab, der forbedrer det termiske rum
• 1,3 V fremadgående spænding, der minimerer faldet i portdrev
• 76 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter omskiftning med høj belastning
• 200 V mærkeværdi for drain-source, der muliggør højspændingsanvendelser
• 375 W effekttab, der forbedrer det termiske rum
• 1,3 V fremadgående spænding, der minimerer faldet i portdrev
Anvendelser
• Velegnet til omskiftning af strømforsyning i industrielle systemer
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver håndtering af høj strømstyrke
• Ideel til DC/DC-omformere i højspændingsskinner
• Kan bruges til omskiftning af invertertrin på printkort
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver håndtering af høj strømstyrke
• Ideel til DC/DC-omformere i højspændingsskinner
• Kan bruges til omskiftning af invertertrin på printkort
Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes?
Gate-til-kilde-spændingen må ikke overstige 20 V for at undgå at beskadige gate-dielektrisk.
Hvilket temperaturområde kan den tåle under drift?
Den er specificeret til at fungere mellem -55 °C og 175 °C til bred industriel brug.
Er enheden velegnet til overflademontering på printkort?
Den er beregnet til printkortmontering i en TO-220-pakke med gennemgående hul til sikker termisk og mekanisk fastgørelse.
Er den i overensstemmelse med miljømæssige materialerestriktioner?
Komponenten er i overensstemmelse med RoHS og opfylder de krævede begrænsninger for farlige stoffer.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 76 A 200 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 95 A 60 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 46 A 250 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 35 A 150 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 169 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 49 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 150 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
