Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 76 A 200 V, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5807
- Producentens varenummer:
- IRFB4127PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 48,85
(ekskl. moms)
Kr. 61,062
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 948 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 24,425 | Kr. 48,85 |
| 20 - 48 | Kr. 21,245 | Kr. 42,49 |
| 50 - 98 | Kr. 19,785 | Kr. 39,57 |
| 100 - 198 | Kr. 18,29 | Kr. 36,58 |
| 200 + | Kr. 17,09 | Kr. 34,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5807
- Producentens varenummer:
- IRFB4127PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 76A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 76A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Industristandard strømforsyningshus til hulmontering
Høj mærkestrøm
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter nedenfor <100 kHz
Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Bredt udvalg kan leveres
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 76 A 200 V, TO-220
- Infineon Type N-Kanal 25 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 12 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 10.1 A N IPA
- Infineon Type N-Kanal 9.9 A N IPA
- Infineon Type N-Kanal 14.1 A N IPA
- Infineon Type N-Kanal 43 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring TO-220, HEXFET
