Infineon N-Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Forbedring, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-5807
- Producentens varenummer:
- IRFB4127PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 96,79
(ekskl. moms)
Kr. 120,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 788 enhed(er) afsendes fra 26. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 48,395 | Kr. 96,79 |
| 20 - 48 | Kr. 42,04 | Kr. 84,08 |
| 50 - 98 | Kr. 39,195 | Kr. 78,39 |
| 100 - 198 | Kr. 36,315 | Kr. 72,63 |
| 200 + | Kr. 33,885 | Kr. 67,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5807
- Producentens varenummer:
- IRFB4127PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 76A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 76A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET seriens MOSFET, 200 V maksimal drain-source spænding, 375 W maksimal effekttab - IRFB4127PBF
Denne MOSFET er en N-kanal-transistor med høj spænding og forstærkning, der er designet til printmontering i en TO-220-pakke. Den er beregnet til effektkoblings- og styringsopgaver, hvor der kræves betydelig strømstyrke og termisk kapacitet, og den fungerer over et udvidet industrielt temperaturområde, samtidig med at den overholder RoHS-begrænsninger.
Egenskaber og fordele:
• 20 mΩ Rds(on), der giver reducerede ledningstab
• 76 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter omskiftning med høj belastning
• 200 V mærkeværdi for drain-source, der muliggør højspændingsanvendelser
• 375 W effekttab, der forbedrer det termiske rum
• 1,3 V fremadgående spænding, der minimerer faldet i portdrev
• 76 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter omskiftning med høj belastning
• 200 V mærkeværdi for drain-source, der muliggør højspændingsanvendelser
• 375 W effekttab, der forbedrer det termiske rum
• 1,3 V fremadgående spænding, der minimerer faldet i portdrev
Anvendelser
• Velegnet til omskiftning af strømforsyning i industrielle systemer
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver håndtering af høj strømstyrke
• Ideel til DC/DC-omformere i højspændingsskinner
• Kan bruges til omskiftning af invertertrin på printkort
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver håndtering af høj strømstyrke
• Ideel til DC/DC-omformere i højspændingsskinner
• Kan bruges til omskiftning af invertertrin på printkort
Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes?
Gate-til-kilde-spændingen må ikke overstige 20 V for at undgå at beskadige gate-dielektrisk.
Hvilket temperaturområde kan den tåle under drift?
Den er specificeret til at fungere mellem -55 °C og 175 °C til bred industriel brug.
Er enheden velegnet til overflademontering på printkort?
Den er beregnet til printkortmontering i en TO-220-pakke med gennemgående hul til sikker termisk og mekanisk fastgørelse.
Er den i overensstemmelse med miljømæssige materialerestriktioner?
Komponenten er i overensstemmelse med RoHS og opfylder de krævede begrænsninger for farlige stoffer.