Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 46 A 250 V, TO-220, HEXFET Nej IRFB4229PBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 49,15

(ekskl. moms)

Kr. 61,438

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 484 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 24,575Kr. 49,15
20 - 48Kr. 22,105Kr. 44,21
50 - 98Kr. 20,645Kr. 41,29
100 - 198Kr. 19,185Kr. 38,37
200 +Kr. 17,69Kr. 35,38

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
257-9347
Producentens varenummer:
IRFB4229PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

46A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Emballagetype

TO-220

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Drain source modstand maks. Rds

15mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

72nC

Portkildespænding maks.

10 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IRFB-serien er 250 V enkelt n-kanals stærk IRFET-effektmosfet i et TO 220-hus. Den stærke IRFET Power Mosfet-serie er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder jævnstrømsmotorer, batteristyringssystemer, invertere og dc-dc-konvertere.

Industristandard strømforsyningshus med hulmontering

Høj mærkestrøm

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz

Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration

Bredt udvalg kan leveres

Relaterede links