Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V, TO-220, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 344,70

(ekskl. moms)

Kr. 430,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 6,894Kr. 344,70
100 - 200Kr. 5,791Kr. 289,55
250 - 450Kr. 5,514Kr. 275,70
500 - 950Kr. 5,033Kr. 251,65
1000 +Kr. 4,826Kr. 241,30

*Vejledende pris

RS-varenummer:
257-9325
Producentens varenummer:
IRF8010PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Drain source modstand maks. Rds

15mΩ

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

81nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IRF-serien er 100 V enkelt n-kanals effekt-mosfet i et TO 220-hus. IR MOSFET-serien af effekt MOSFET'er benytter gennemprøvede siliciumprocesser, der giver designere et bredt udvalg af enheder til at understøtte forskellige anvendelser som f.eks. jævnstrømsmotorer, invertere, SMPS, belysning, belastningsomskiftere samt batteridrevne anvendelser. Enhederne kan leveres i en række overflademonterede og hulmonteringshuse med industristandarder for let design.

Planarcellestruktur til bred SOA

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz

Industristandard strømforsyningshus med hulmontering

Høj mærkestrøm

Relaterede links