Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9325
- Producentens varenummer:
- IRF8010PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 344,70
(ekskl. moms)
Kr. 430,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 550 enhed(er) afsendes fra 01. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 6,894 | Kr. 344,70 |
| 100 - 200 | Kr. 5,791 | Kr. 289,55 |
| 250 - 450 | Kr. 5,514 | Kr. 275,70 |
| 500 - 950 | Kr. 5,033 | Kr. 251,65 |
| 1000 + | Kr. 4,826 | Kr. 241,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9325
- Producentens varenummer:
- IRF8010PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 81nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 15mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 81nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRF-serien er 100 V enkelt n-kanals effekt-mosfet i et TO 220-hus. IR MOSFET-serien af effekt MOSFET'er benytter gennemprøvede siliciumprocesser, der giver designere et bredt udvalg af enheder til at understøtte forskellige anvendelser som f.eks. jævnstrømsmotorer, invertere, SMPS, belysning, belastningsomskiftere samt batteridrevne anvendelser. Enhederne kan leveres i en række overflademonterede og hulmonteringshuse med industristandarder for let design.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Industristandard strømforsyningshus med hulmontering
Høj mærkestrøm
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 80 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 185 A HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 127 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 95 A 40 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 340 A 40 V HEXFET