Infineon N-Kanal, MOSFET, 80 A 75 V, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9405
- Producentens varenummer:
- IRFR3607TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 10.774,00
(ekskl. moms)
Kr. 13.468,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 4.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 5,387 | Kr. 10.774,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9405
- Producentens varenummer:
- IRFR3607TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 9mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFR-serien er 75 V enkelt n-kanals HEXFET-effektmosfet i et D Pak-hus. IR MOSFET-serien af effekt MOSFET'er benytter gennemprøvede siliciumprocesser, der giver designere et bredt udvalg af enheder til at understøtte forskellige anvendelser som f.eks. jævnstrømsmotorer, invertere, SMPS, belysning, belastningsomskiftere samt batteridrevne anvendelser. Enhederne kan leveres i en række overflademonterede og hulmonteringshuse med industristandarder for let design.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Hus til overflademontering i industristandard
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 80 A 75 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 170 A 75 V TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 80 A 75 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 45 A 75 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 39 A 80 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 12 A 75 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V HEXFET