Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 217-2629
- Producentens varenummer:
- IRFS3207TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 95,50
(ekskl. moms)
Kr. 119,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.340 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 19,10 | Kr. 95,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2629
- Producentens varenummer:
- IRFS3207TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 170A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 260nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.65mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 170A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 260nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.65mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 75V enkelt N-kanal HEXFET Power MOSFET i et D2-Pak hus.
Forbedret gate Avalanche og dynamisk DV/dt robusthed
Fuldt karakteriseret kapacitans og lavine SOA
Forbedret husdiode DV/dt og di/dt
Blyfri
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 170 A 75 V TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 170 A 75 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 170 A 75 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 45 A 75 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 12 A 75 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 99 A 60 V HEXFET