Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 10.650,40

(ekskl. moms)

Kr. 13.312,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.400 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
800 +Kr. 13,313Kr. 10.650,40

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4445
Producentens varenummer:
IRF2907ZSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

170A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.5mΩ

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

270nC

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon HEXFET Power MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Den har hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavine-klassificering.

Den er blyfri

Den kan bølgelloddes

Relaterede links