Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 214-4445
- Producentens varenummer:
- IRF2907ZSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 9.550,40
(ekskl. moms)
Kr. 11.937,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | Kr. 11,938 | Kr. 9.550,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4445
- Producentens varenummer:
- IRF2907ZSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 170A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 270nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 170A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 270nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon HEXFET Power MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Den har hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavine-klassificering.
Den er blyfri
Den kan bølgelloddes
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 170 A 75 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 120 A 75 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 230 A 75 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 170 A 75 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 128 A 75 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 82 A 75 V TO-263, HEXFET