Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 114,90

(ekskl. moms)

Kr. 143,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • 3.155 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 22,98Kr. 114,90

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4446
Producentens varenummer:
IRF2907ZSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

170A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.5mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

270nC

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon HEXFET Power MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Den har hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavine-klassificering.

Den er blyfri

Den kan bølgelloddes

Relaterede links

Recently viewed