Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 75 V, TO-263, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 36,90

(ekskl. moms)

Kr. 46,12

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 18,45Kr. 36,90
20 - 48Kr. 16,645Kr. 33,29
50 - 98Kr. 15,52Kr. 31,04
100 - 198Kr. 14,55Kr. 29,10
200 +Kr. 13,425Kr. 26,85

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
257-5799
Producentens varenummer:
IRFB3307PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Printmontering

Drain source modstand maks. Rds

6.3mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

200W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Industristandard strømforsyningshus til hulmontering

Høj mærkestrøm

Relaterede links