Infineon N-Kanal, MOSFET, 82 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 214-4443
- Producentens varenummer:
- IRF2807STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 4.688,80
(ekskl. moms)
Kr. 5.860,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | Kr. 5,861 | Kr. 4.688,80 |
| 1600 + | Kr. 5,568 | Kr. 4.454,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4443
- Producentens varenummer:
- IRF2807STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 82A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 160nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 82A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 160nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon HEXFET Power MOSFET anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Denne fordel kombineret med den hurtige skiftehastighed og robuste enhedens design giver pålidelig og effektiv enhed
Den er fuldt lavinenominel
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 82 A 75 V TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 120 A 75 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 80 A 75 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 230 A 75 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 170 A 75 V TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 128 A 75 V TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 260 A 75 V TO-263, HEXFET