Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 82 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 4.516,80

(ekskl. moms)

Kr. 5.646,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
800 - 800Kr. 5,646Kr. 4.516,80
1600 +Kr. 5,364Kr. 4.291,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4443
Producentens varenummer:
IRF2807STRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

82A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

13mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

160nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

230W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon HEXFET Power MOSFET anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Denne fordel kombineret med den hurtige skiftehastighed og robuste enhedens design giver pålidelig og effektiv enhed

Den er fuldt lavinenominel

Relaterede links