Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 82 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 214-4444
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-413
- Producentens varenummer:
- IRF2807STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 110,40
(ekskl. moms)
Kr. 138,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 830 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 150 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 11,04 | Kr. 110,40 |
| 50 - 90 | Kr. 10,494 | Kr. 104,94 |
| 100 - 240 | Kr. 10,046 | Kr. 100,46 |
| 250 - 490 | Kr. 9,604 | Kr. 96,04 |
| 500 + | Kr. 8,939 | Kr. 89,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4444
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-413
- Producentens varenummer:
- IRF2807STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 82A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 160nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 82A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 160nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon HEXFET Power MOSFET anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Denne fordel kombineret med den hurtige skiftehastighed og robuste enhedens design giver pålidelig og effektiv enhed
Den er fuldt lavinenominel
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 82 A 75 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 120 A 75 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 230 A 75 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 170 A 75 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 128 A 75 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 260 A 75 V TO-263, HEXFET