Infineon N-Kanal, MOSFET, 82 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 121,18

(ekskl. moms)

Kr. 151,48

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 760 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 90 enhed(er) afsendes fra 20. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 12,118Kr. 121,18
50 - 90Kr. 11,519Kr. 115,19
100 - 240Kr. 11,033Kr. 110,33
250 - 490Kr. 10,547Kr. 105,47
500 +Kr. 9,821Kr. 98,21

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4444
Elfa Distrelec varenummer:
304-39-413
Producentens varenummer:
IRF2807STRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

82A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

13mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

160nC

Effektafsættelse maks. Pd

230W

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon HEXFET Power MOSFET anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Denne fordel kombineret med den hurtige skiftehastighed og robuste enhedens design giver pålidelig og effektiv enhed

Den er fuldt lavinenominel

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.