Infineon N-Kanal, MOSFET, 82 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 214-4444
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-413
- Producentens varenummer:
- IRF2807STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 121,18
(ekskl. moms)
Kr. 151,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 770 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
- Plus 890 enhed(er) afsendes fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 12,118 | Kr. 121,18 |
| 50 - 90 | Kr. 11,519 | Kr. 115,19 |
| 100 - 240 | Kr. 11,033 | Kr. 110,33 |
| 250 - 490 | Kr. 10,547 | Kr. 105,47 |
| 500 + | Kr. 9,821 | Kr. 98,21 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4444
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-413
- Producentens varenummer:
- IRF2807STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 82A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 160nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 82A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 160nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon HEXFET Power MOSFET anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Denne fordel kombineret med den hurtige skiftehastighed og robuste enhedens design giver pålidelig og effektiv enhed
Den er fuldt lavinenominel