Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 43 A 200 V, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9428
- Producentens varenummer:
- IRFS38N20DTRLP
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 42,71
(ekskl. moms)
Kr. 53,388
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 648 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 21,355 | Kr. 42,71 |
| 20 - 48 | Kr. 19,225 | Kr. 38,45 |
| 50 - 98 | Kr. 17,95 | Kr. 35,90 |
| 100 - 198 | Kr. 16,645 | Kr. 33,29 |
| 200 + | Kr. 15,56 | Kr. 31,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9428
- Producentens varenummer:
- IRFS38N20DTRLP
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 43A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 54mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 320W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 60nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 43A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 54mΩ | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 320W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 60nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFS-serien er 200 V enkelt n-kanals IR-mosfet i et D2 Pak-hus.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Effekthus til overflademontering i industristandard
Hus med høj strømbelastningskapacitet (op til 195 A, afhængigt af matrixstørrelse)
Kan bølgeloddes
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 43 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 150 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 45 A 250 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 140 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 170 A 75 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V HEXFET
