Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 257 A 60 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 20,89

(ekskl. moms)

Kr. 26,11

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 4.640 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 20,89

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-0681
Producentens varenummer:
BSC014N06NSTATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

257A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.45mΩ

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

188W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

89nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 effekt-MOSFET i SuperSO8-hus tilbyder den nyeste teknologi sammen med temperaturforbedringer i huset. Denne nye kombination muliggør højere effekttæthed samt forbedret robusthed. Sammenlignet med enheder med lavere mærkeværdier giver 175 °C TJ_MAX-funktionen enten mere effekt ved en højere driftssammenslutningstemperatur eller længere levetid ved samme driftssammenslutningstemperatur. Desuden opnås en 20 % forbedring i det sikre driftsområde. Denne nye husfunktion er perfekt til anvendelser som f.eks. telekommunikation, motordrev og server.

Lav RDS(on)

Optimeret til synkron ensretning

Længere levetid

Højeste effektivitet og effekttæthed

Højeste systempålidelighed

Termisk robusthed

Relaterede links