Infineon, MOSFET, 66 A 650 V, PG-TO 220 IPAN60R125PFD7SXKSA1

Infineon 600 V CoolMOS PFD7 super junction MOSFET supplerer CoolMOS 7 til forbrugeranvendelser. MOSFET'en i et TO-220 FullPAK smalt ledningshus har RDS(on) på 125 mOhm, hvilket fører til lave skiftetab. Produkterne leveres med en hurtig husdiode, der sikrer en robust enhed og dermed reducerer forbruget af materiale for kunden. Denne produktserie er skræddersyet til ultrahøj effekttæthed samt design med højeste effektivitet. Produkterne er primært rettet mod ladere med meget høj tæthed, adaptere og motordrev med lavt strømforbrug. 600 V CoolMOS PFD7 giver forbedret effektivitet ved let og fuld belastning over CoolMOS P7 og CE MOSFET-teknologier, hvilket resulterer i en forøgelse af effekttætheden med 1,8 W/tommer3.

Bredt udvalg af RDS(on) værdier
Fremragende robusthed ved omskiftning
Lav EMI
Bred pakkeportefølje
BOM-omkostningsreduktion og nem fremstilling
Robusthed og pålidelighed
Let at vælge de rigtige dele til finjustering af design